http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/47269
題名: | Post-annealing effects on shallow-junction characteristics caused by 20 keV BGe molecular ion implantation | 作者: | Liang, J. H. Sang, Y. J. Wang, C. -H. Wang, T. W. Hsu, J. Y. Niu, H. Tseng, M. S. |
公開日期: | 2005 | 關聯: | Nuclear Instruments and Methods in Phys. Research B237, 312-317 | URI: | http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/47269 |
顯示於: | 物理研究所 |
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