High photoresponsivity MoS2 phototransistor through enhanced hole trapping HfO2 gate dielectric

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題名:	High photoresponsivity MoS2 phototransistor through enhanced hole trapping HfO2 gate dielectric
作者:	Pei-Xuan Long Yung-Yu La Pei-Hao Kang Chi-Huang Chuang Yuh-Jen Cheng
公開日期:	2023-10-26
關聯:	NANOTECHNOLOGY 35, 025204
URI:	http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/90230
URL:	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ad01c2/pdf
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