Boosting zT above 2.5: Temperature-Induced Valence Band Mediation in GeTe-rich Ge-Sb-Te Thin Film

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題名:	Boosting zT above 2.5: Temperature-Induced Valence Band Mediation in GeTe-rich Ge-Sb-Te Thin Film
作者:	D. P Wong M. Aminzare C.S. Pang B.K. Chang H.T. Lien S.T. Chang C.H. Chien Y.Y. Chen M.W. Chu Y.W. Yang W.P. Hsieh G. Rogl P. Rogl M.Y. Chou L.C. Chen K.H. Chen
公開日期:	2018
關聯:	Energy and Environmental Sciences
URI:	http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/73635
顯示於：	原子與分子科學研究所

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