http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44969
題名: | The Electronic Properties of Single-Layer and Multilayer MoS2 under High Pressure | 作者: | Xiao-Feng Fan Chung-Huai Chang W-T Zheng Jer-Lai Kuo David J. Singh |
公開日期: | 2015-04 | 關聯: | JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 119(19),10189–10196 | URI: | http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44969 | ISSN: | http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=1932-7447&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT | URL: | http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.jpcc.5b00317 |
顯示於: | 原子與分子科學研究所 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。