http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44936
題名: | Intrinsic electron mobility exceeding 103 cm2/Vs in multilayer InSe FETs | 作者: | S. Sucharitakul N. J. Goble U. R. Kumar R. Sankar Z. Bogorad F. C. Chou Y.-T. Chen X. P. A. Gao |
公開日期: | 2015-04 | 關聯: | NANO LETTERS 10(6), 3815-3819 | URI: | http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44936 | ISSN: | http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=1530-6984&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT |
顯示於: | 原子與分子科學研究所 |
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