Effect of dilution gas on SiCN films growth using methylamine

請用此 Handle URI 來引用此文件： http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44019

題名:	Effect of dilution gas on SiCN films growth using methylamine
作者:	Wu, J. J. Chen, K. H. Wen, C. Y. Chen, L. C. Yu, Y. -C. Wang, C. -W. Lin, E. -K.
公開日期:	2001
關聯:	MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 72, 240-244
URI:	http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44019
ISSN:	http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=0254-0584&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT
顯示於：	原子與分子科學研究所

顯示文件完整紀錄

上周
0

上個月

checked on 2023/1/1

檢查

TAIR相關文章