http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/42789
題名: | Phase-change memory devices based on gallium-doped indium oxide | 作者: | Wang, S. -L. Chen, C. -Y. Hsieh, M. -K. Lee, W. -C. Kung, A. H. Peng, L. -H. |
公開日期: | 2009 | 關聯: | Appl. Phys. Lett. 94, 113503 | URI: | http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/42789 | ISSN: | http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=0003-6951&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT |
顯示於: | 原子與分子科學研究所 |
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