TMD FinFET with 4 nm Thin Body and Back Gate Control for Future Low Power Technology

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題名:	TMD FinFET with 4 nm Thin Body and Back Gate Control for Future Low Power Technology
作者:	Min-Cheng Chen Kai-Shin Li Lain-Jong Li Ang-Yu Lu Ming-Yang Li Yung-Huang Chang Chang-Hsien Lin Yi-Ju Chen Yun-Fang Hou Chun-Chi Chen Bo-Wei Wu Cheng-San Wu Ivy Yang Yao-Jen Lee Jia-Min Shieh Wen-Kuan Yeh Jyun-Hong Shih Po-Cheng Su Angada B. Sachid Tahui Wang Fu-Liang Yang Chenming Hu
公開日期:	2015-12-07
會議:	International Electron Devices Meeting (IEDM) (Washington, DC, USA : IEEE)
URI:	http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34747
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