GaSb/GaAs Quantum Dots with Type-II Band Alignments Prepared by Molecular Beam Epitaxy for Device Applications

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題名:	GaSb/GaAs Quantum Dots with Type-II Band Alignments Prepared by Molecular Beam Epitaxy for Device Applications
作者:	Lin, Shih-Yen Tseng, Chi-Che Lin, Wei-Hsun Chen, Shu-Han
公開日期:	2011-01-01
會議:	Photonics West 2011 (San Francisco, USA : SPIE)
URI:	http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34552
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