In-Plane Gate Transistors Fabricated by Using Atomic-Force Microscopy Anode Oxidation

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題名:	In-Plane Gate Transistors Fabricated by Using Atomic-Force Microscopy Anode Oxidation
作者:	Chung, Tung-Hsun Chen, Shu-Han Liao, Wen-Hsuan Lin, Shih-Yen
公開日期:	2010-12-01
會議:	OPT 2010 (Tainan, Taiwan : 中華民國光電學會)
URI:	http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34551
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