Electronic Structures of In1-xGaxAs-InP strained-layered Quantum wells

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題名:	Electronic Structures of In1-xGaxAs-InP strained-layered Quantum wells
作者:	Houng, M. -P. Chang, Y. C.
公開日期:	1989
關聯:	J. Appl. Phys. 65, 3092
URI:	http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/33501
ISSN:	http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=0021-8979&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT
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