公開日期 | 題名 | 作者 | 關聯 | scopus | WOS | 全文 |
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2005 | Post-annealing effects on shallow-junction characteristics caused by 20 keV BGe molecular ion implantation | Liang, J. H.; Sang, Y. J.; Wang, C. -H.; Wang, T. W.; Hsu, J. Y.; Niu, H.; Tseng, M. S. | Nuclear Instruments and Methods in Phys. Research B237, 312-317 |