http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/88076
題名: | In-plane gate graphene transistor with epitaxially grown molybdenum disulfide passivation layers | 作者: | Po-Cheng Tsai Chun-Wei Huang Shoou-Jinn Chang Shu-Wei Chang Shih-Yen Lin |
公開日期: | 2023-06 | 關聯: | Scientific Reports 13(1), 9197 | URI: | http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/88076 | ISSN: | http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=2045-2322&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT | URL: | http://dx.doi.org/10.1038/s41598-023-36405-9 |
顯示於: | 應用科學研究中心 |
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