http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/33399
題名: | Growth and characterization of InP/InGaAs p-quantum well infrared Photodetector with extremely thin quantum wells | 作者: | Sengupta, D. K. Jackson, S. L. Curtis, A. P. Fang, W. Malin, J. I. Horton, T. U. Kuo, H. C. Moy, A. Miller, J. Hsieh, K. C. Cheng, K. Y. Chen, H. Adesida, I. Chuang, S. L. Feng, M. Stillman, G. E. Wu, W. Tucker, J. Chang, Y. C. Li, L. Liu, H. C. |
公開日期: | 1997 | 關聯: | JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 26, 1382 | URI: | http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/33399 | ISSN: | http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=0361-5235&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT |
顯示於: | 應用科學研究中心 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。