http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/33696
題名: | MBE-grown high gate dielectrics of HfO2 and (Hf–Al)O2 for Si and III–V semiconductors nano-electronics | 作者: | Lee, W. C. Lee, Y. J. Wu, Y. D. Chang, P. Huang, Y. L. Hsu, Y. L. Mannaerts, J. P. Lo, R. L. Chen, F. R. Maikap, S. Lee, L. S. Hsieh, W. Y. Tsai, M. J. Lin, S. Y. Gustffson, T. Hong, M. Kwo, J. |
公開日期: | 2005-03-01 | 關聯: | Journal of crystal growth vol. 278, pp. 619-623 | URI: | http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/33696 | ISSN: | http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=0022-0248&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT |
顯示於: | 應用科學研究中心 |
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