公開日期 | 題名 | 作者 | 關聯 | scopus | WOS | 全文 |
---|---|---|---|---|---|---|
2020 | Ultralow Schottky Barriers in Hexagonal Boron Nitride-Encapsulated Monolayer WSe2 Tunnel Field-Effect Transistors | Gaurav Pande; J. Y. Siao; W. L. Chen; C. J. Lee; Raman Sankar ; Y. M. Chang; C. D. Chen ; W. H. Chang; F. C. Chou; Minn-Tsong Lin | ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 12(16), 18667-18673 |