1997 | Growth and characterization of InP/InGaAs p-quantum well infrared Photodetector with extremely thin quantum wells | Sengupta, D. K.; Jackson, S. L.; Curtis, A. P.; Fang, W.; Malin, J. I.; Horton, T. U.; Kuo, H. C.; Moy, A.; Miller, J.; Hsieh, K. C.; Cheng, K. Y.; Chen, H.; Adesida, I.; Chuang, S. L.; Feng, M.; Stillman, G. E.; Wu, W.; Tucker, J.; Chang, Y. C.; Li, L.; Liu, H. C. | JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 26, 1382 | | | |
1996 | p-type InGaAs/InP quantum well infrared Photodetector with peak response at 4.55 m | Sengupta, D. K.; Jackson, S. L.; Ahmari, D.; Kuo, H. C.; Malin, J. I.; Thomas, S.; Feng, M.; Stillman, G. E.; Chang, Y. C.; Lin, L.; Liu, H. C. | APPLIED PHYSICS LETTERS 69, 3209-3211 | | | |